Sc2O3掺杂及其工艺参数对MgO介质保护膜性能的影响

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaohan191420
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MgO介质保护膜掺杂可以改变其性能,基于这一现象,本文利用电子束加热蒸镀法,在多种掺杂比和多种工艺条件下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用扫描电子显微镜(SEM)对制备的复合介质保护膜样品的进行了微观表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明:与纯Mg0介质保护膜相比,掺杂Sc2O3的介质保护膜具有较好的性能。
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