Ir(PPY)3掺杂PVK的电致发光机理

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:QB582
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近几年来发展起来的电致磷光(electrophosphorescence)是有机发光二极管(OLED)研究的新生长点.对电致磷光发光机理的研究随即得到了人们普遍的关注.比较了不同正向偏压条件下Ir(PPY)3掺杂聚乙烯基咔唑(PVK)的光致发光(PL)和电致发光(EL)光谱.研究结果显示在电场和注入电流的共同作用下,PL光谱中基质PVK发光的相对强度并没有发生显著的变化.电场或注入载流子不会影响PVK向Ir(PPY)3的能量传递.磷光掺杂聚合物EL主要是由于载流子在掺杂磷光分子上的直接复合,而不是由基质向
其他文献
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都
利用金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA)进行离子束合成,制备了过剂量C+离子注入到单晶硅衬底的样品.然后利用热退火,在表层制备了连续β-SiC层,形成表层SiC/Si的异质结构.利用傅里
在Y2O3:Eu^3+体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu^3+的^5D0→^7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的^5D0→^7F0发射(580nm)的强度,随着激发波长在200—300nm紫
采用共沉淀法制备了ZnS及ZnS:Eu纳米晶粉末,并对其在不同温度进行了退火处理。通过X射线粉末衍射(XRD)技术及差热分析实验(DTA)对ZnS纳米粒子在退火过程中的从立方到六角晶相的
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO
以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发
采用一步化学溶液法在玻璃衬底上通过改变溶液浓度、酸碱度等影响因素生长出不同形貌和不同尺寸的ZnO棒.已生长出的ZnO棒的形貌有细长棒形,垂直于衬底的规则六角形,短而粗的
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DC
采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C:Si接近1:1.用微区Raman和光致发光方法研究了纳米棒
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴