【摘 要】
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本文针对低压5VCMOS工艺中SCR（可控硅）静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点，在传统简单SCR的基础上，设计了一种新器件结构，该结构改变器件去穿面降低触发电压，通过内镶二极管
【机 构】
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湘潭大学物理与光电工程学院,微光电与系统集成湖南省工程实验室
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本文针对低压5VCMOS工艺中SCR（可控硅）静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点，在传统简单SCR的基础上，设计了一种新器件结构，该结构改变器件去穿面降低触发电压，通过内镶二极管的方式提高器件维持电压，避免闩锁风险。设计器件在0．5urnCMOS工艺下进行了流片测试，TLP测试结果表明，内镶二极管的SCP,新结构，其触发电N＋L18．89V降低到13．04V，维持电压从383V提高到5．20v，适用于5V工作电压的芯片保护，有效解决了CMOS工艺中可控硅静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点。
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