新一代宽禁带4H-5iC功率半导体外延材料的产业化进展

来源 :军工配套材料论坛IV——2013中国军民两用高新材料技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sheng285292970
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使用10×100mm暖壁行星式外延生长系统进行了4H-SiC大面积多片外延生长,获得了具有良好掺杂与厚度均匀性的高质量4H-SiC外延晶片.测试结果显示,所制得外延晶片X射线衍射谱最高峰的半高宽为26.74”,具有良好的结晶质量;片内厚度均匀性和片间厚度均匀性分别为0.26%和0.5%,片内掺杂均匀性和片间掺杂均匀性分别为2.6%和3.4%;表面粗糙度为0.2nm;表面缺陷密度小于1cm-2.这表明,该10×100mm暖壁行星式外延生长系统可满足4H-SiC外延晶片的产业化需求,将推动SiC功率器件的发展.
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