【摘 要】
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采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xGaxSi2O8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ga3+置换铝Al 3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+进入SrAl2Si2O8晶格与Al 3+发生
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.20771086)资助
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采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xGaxSi2O8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ga3+置换铝Al 3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+进入SrAl2Si2O8晶格与Al 3+发生类质同相替代使晶胞参量a、b、c、β和晶胞体积V都随Ga3+置换量呈线性增大,表明形成了连续固溶体.镓置换铝对晶胞参量c的影响最明显,b其次,a最小.Eu2+的宽带激发光谱位于230～400nm,表观峰值位于350nm,可由267nm、305nm、350nm和375nm四个峰拟合而成.随着镓置换量增加,较短波长的三个激发峰发生红移并且267nm和350nm峰强度减弱,305nm峰强度明显增强,375nm峰位和强度基本不变,表观激发峰半高宽由109nm减小至98nm,基本不随镓置换量变化.发射光谱位于380～600nm为不对称宽带,可由406nm和441nm两峰拟合而成并且随Ga3+置换量增加线性红移,拟合发射光谱峰面积之比线性递增,Ga3+进入晶格对较长波长发射中心影响较大.Ga3+置换量为1.0mol时,表观发射峰位从407nm线性红移至422nm,表观峰值随Ga3+置换量线性增大,半高宽由58nm增加至79nm.镓置换铝造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移.
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