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研究了ＧａＡｓ衬底上形成强介质ＢａＭｇＦ４膜的最佳条件，在ＢａＭｇＦ４源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含ＢａＦ２和ＭｇＦ２晶体的ＢａＭｇＦ４膜是有效的。
GaAs衬底上强介质BaMgF4膜的形成
【摘 要】
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研究了ＧａＡｓ衬底上形成强介质ＢａＭｇＦ４膜的最佳条件，在ＢａＭｇＦ４源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含ＢａＦ２和ＭｇＦ２晶体的ＢａＭｇＦ４膜是有效的。
【机 构】
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陕西骊山微电子公司
【出 处】
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航天工艺
【发表日期】
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1997年4期
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