Si基Si3N4/SiO2双层膜驻极体的电荷储存与输运

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangxingkun

【摘要】

：

利用等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharge,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积(APCVD)的Si基Si3N4和热生长SiO2双层薄膜驻极体电荷的

【作者】

：

张晓青夏钟福张冶文 G.M.Sessler

【机构】

：

同济大学波耳固体物理研究所,,达姆施塔特技术大学电声研究所,

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

驻极体薄膜电荷储存热离子发射

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利用等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharge,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积(APCVD)的Si基Si3N4和热生长SiO2双层薄膜驻极体电荷的存储特性.结果表明：在常温环境中，300℃高温下，以及95%相对湿度时的60℃条件下，所有试样表现出极好的电荷储存稳定性.对于负电晕充电试样，其电荷输运受慢再捕获效应(slow retrapping effect)控制；用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4/SiO2驻极体的正电荷输运特性.

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