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本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ－Ｓｉ；Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＾＋ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎ＾＋ａ－Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到纲米能级上０．１６ｅＶ间的隙态密度分布为１０＾１５－１０＾１６（ｃｍ＾－３ｅＶ＾－１）。