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研究了用Cl2／BCl3，刻蚀GaN基LED中，工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明，刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小，随RF功率的增大单调增大；刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小，随压强增大而增大。还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系。刻蚀SEM图表明，压强和RF功率增大会使刻蚀垂直度增大。