【摘 要】
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为了减少负载电流瞬态变化对低压差线性稳压器(LDO)输出电压稳定性的不利影响,设计了一种应用于片上系统(SoC)的高稳定性无片外电容LDO稳压器.该电路采用密勒电容倍增补偿和零点-极点跟踪补偿技术,使LDO在不同负载条件下仍具有良好的环路稳定性.同时,通过摆率增强电路来动态调节功率晶体管的栅极电压,改善了LDO的瞬态响应特性.电路采用0.11μm标准CMOS工艺设计.后端仿真结果表明,当电源电压为1.3～3.3 V,最大输出负载电流为50 mA时,LDO输出电压的稳定值为1.21 V,静态电流为35μA,
【机 构】
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广西师范大学 电子工程学院, 广西 桂林 541004
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为了减少负载电流瞬态变化对低压差线性稳压器(LDO)输出电压稳定性的不利影响,设计了一种应用于片上系统(SoC)的高稳定性无片外电容LDO稳压器.该电路采用密勒电容倍增补偿和零点-极点跟踪补偿技术,使LDO在不同负载条件下仍具有良好的环路稳定性.同时,通过摆率增强电路来动态调节功率晶体管的栅极电压,改善了LDO的瞬态响应特性.电路采用0.11μm标准CMOS工艺设计.后端仿真结果表明,当电源电压为1.3～3.3 V,最大输出负载电流为50 mA时,LDO输出电压的稳定值为1.21 V,静态电流为35μA,最小相位裕度为64.43°.当负载电流以1μs的时间在1～50 mA之间跃变时,与未加入摆率增强电路的LDO相比,输出电压的下冲幅度减少了126 mV,下降了42.5％;过冲幅度减少了44 mV,下降了20.6％.
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