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在分子束外延生长高质量的CdTe／Si复合衬底上，分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe／CdTe／si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe／CdTe／si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度，并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正，最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。