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本文分析了ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度特性，随着基片沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度变好，该膜具有良好的透光性；同时进行了沉积温度对Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度影响的机理分析
氮化硅薄膜表面平整度特性分析
【摘 要】
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本文分析了ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度特性，随着基片沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度变好，该膜具有良好的透光性；同时进行了沉积温度对Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度影响的机理分析
【机 构】
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华南师范大学量子电子研究所
【出 处】
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华南理工大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1996年S1期
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