【摘 要】
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利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝（SiNW）表面生长碳纳米管（CNTs）,探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响。这种类似树状的三维结构具有较
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利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝（SiNW）表面生长碳纳米管（CNTs）,探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响。这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势。使用拉曼光谱（Raman）、电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、能量扩散分光仪（EDS）分析了碳纳米管的结构性质,并在高真空下施加电场测得碳纳米管的场发射特性。结果表明：随硅纳米丝上负载催化剂镍膜厚度的变化,所合成碳纳米管的表面特性、结晶结构及功函数改变,导致电子
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