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IGBT模块封装多层结构的热不匹配将产生热应力从而影响器件可靠性.给出了IGBT模块热应力模拟结果及减小硅芯片热应力的方法,并计算出模块封装最佳参数及热应力与温度的关系,上述结果与温度循环实验结果一致.
IGBT模块封装热应力研究
【摘 要】
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IGBT模块封装多层结构的热不匹配将产生热应力从而影响器件可靠性.给出了IGBT模块热应力模拟结果及减小硅芯片热应力的方法,并计算出模块封装最佳参数及热应力与温度的关系,
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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2004年期
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