硅霍尔元件的温度补偿方法

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霍尔元件与一般半导体元件一样,对温度的变化很敏感。由于半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度都随着温度变化,所以霍尔元件的性能参数,如内阻、霍尔电势等也随温度变化。对于硅霍尔元件来说,内阻对温度的变化更为敏感,在许多应用场合这是很讨厌的,要求避免或削弱其影响。为了在使用过程中让霍尔电势稳定,一般都采用恒流源供电。这是很必要而且很见效的措施,但对于精度要求较高的场合,如对某些物理量的检测系统中,光靠恒流源只能部分地解决间题,即只能 Hall elements and general semiconductor components, is very sensitive to temperature changes. Since the resistivity, mobility and carrier concentration of the semiconductor material all change with temperature, the performance parameters of the Hall element, such as the internal resistance and the Hall potential, also change with temperature. For silicon Hall elements, internal resistance is more sensitive to changes in temperature, which in many applications is annoying and requires its avoidance or weakening. In order to stabilize the Hall potential during use, are generally used constant current source power supply. This is a very necessary and very effective measures, but for the high precision occasions, such as the detection system of some physical quantities, only rely on constant current source can only partially solve the problem, that is, only
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