适用于太阳电池的nc-Si:H薄膜及 nc-Si/c-Si异质结的研究

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chunlai_zhang

【摘要】

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该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质结;研究了其光学和电学特性.实验表明nc-Si/c

【作者】

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【出处】

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太阳能学报

【发表日期】

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2003年z1期

【关键词】

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【基金项目】

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浙江省自然科学基金资助项目(599106)

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该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质结;研究了其光学和电学特性.实验表明nc-Si/c-Si异质结具有良好的光电转换性能和稳定性,适用于制造太阳电池.

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