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本文利用金属—半导体接触的基本理论,发展了一种炉前简易判别化合物半导体外延层导电类型和载流子浓度范围的方法,其准确率为:GaAs和GaInP达100％,GaInAsSb可达90％左右。
半导体外延材料导电类型及载流子浓度的简易判定法
【摘 要】
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本文利用金属—半导体接触的基本理论,发展了一种炉前简易判别化合物半导体外延层导电类型和载流子浓度范围的方法,其准确率为:GaAs和GaInP达100％,GaInAsSb可达90％左右。
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所上海200050,上海200050
【出 处】
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上海金属.有色分册
【发表日期】
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1993年3期
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