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本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管，系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高，硅pn结二极管的电致发光效率显著增强，在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时，室温下的电致发光效率达到最大值0．12％，比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级。在低温电致发光光谱中，发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰。随着温度的升高，束缚激子的发光峰出现温度猝灭，束缚激子离化为自由电子和空穴，增加了硅带间自由激子复合的发光效率，从而