直接带隙硅基超晶格Ⅵ（A）／Sim／Ⅵ（B）／Sim／Ⅵ（A）的设计

来源 :厦门大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yy4733

【摘要】

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Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.

【作者】

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张建立黄美纯李惠萍朱梓忠

【机构】

：

厦门大学物理学系

【出处】

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厦门大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2003年3期

【关键词】

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Si基光发射材料直接带隙硅基超晶格能带结构半导体材料密度泛函理论材料设计 Si-based optoelectronic materials supe

【基金项目】

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国家自然科学基金

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Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何设计具有直接带隙硅基材料,备受实验研究工作者和材料设计理论工作者的关注.本文介绍一种新的硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A) 的能带结构计算.在密度泛函理论框架内,采用混合基从头算赝势法模拟计算表明,其中Se/Si6/O/Si6/Se 及Se/Si6/S/Si6/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于

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