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面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDs(on)功率MOSFET能有新的进展.虽然近年来沟槽栅极结构和超高单元密度(ultra-high-cell-density)器件已经在性能方面取得了长足进步,但当前的器件技术仍然限制了功率MOSFET在高频工作时(如应用于同步DC-DC变换器时)的动态性能.