一种高电源抑制比带隙基准源

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhongyuzhang09

【摘要】

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介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-

【作者】

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周志兴来强涛姜宇郭江飞王成龙陈腾郭桂

【机构】

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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学,中国科学院大学微电子学院

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2019年5期

【关键词】

：

带隙基准源电源抑制比稳压电路

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61501453)

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介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃~150℃温度范围、3.5 V~6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB.

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