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采用分层提拉法成功的制备了具有＂三明治＂结构的钛酸钡（BT）/聚酰亚胺（PI）复合薄膜。低频介电性能分析表明,本方法中PAA的最佳固含量为11%。0.1Hz下,复合薄膜的电容值达到49.5n F,是纯PI的146倍,而介电损耗为0.132,仅为纯PI的1.8倍。容量损耗增加比达到81.1。
浸渍提拉法制备钛酸钡/聚酰亚胺复合薄膜及其低频介电性能研究
【摘 要】
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采用分层提拉法成功的制备了具有＂三明治＂结构的钛酸钡（BT）/聚酰亚胺（PI）复合薄膜。低频介电性能分析表明,本方法中PAA的最佳固含量为11%。0.1Hz下,复合薄膜的电容值达到49.5n F,是
【机 构】
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中国海洋大学材料科学与工程研究院
【出 处】
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山东化工
【发表日期】
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2016年13期
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