【摘 要】
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研究了有机薄膜晶体管的二氧化硅栅绝缘层的性质。二氧化硅绝缘层的制备采用热生长法，氧化气氛是O2（g）＋H2O（g），工艺为干氧-湿氧-干氧的氧化过程。制得的绝缘层漏电流在10^-9A左右。
【机 构】
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上海大学材料学院,上海大学新型显示教育部重点实验室
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研究了有机薄膜晶体管的二氧化硅栅绝缘层的性质。二氧化硅绝缘层的制备采用热生长法，氧化气氛是O2（g）＋H2O（g），工艺为干氧-湿氧-干氧的氧化过程。制得的绝缘层漏电流在10^-9A左右。以该二氧化硅作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,并五苯作为有源层制作了有机薄膜晶体管器件。实验表明采用十八烷基三氯硅烷（OTS）进行表面修饰的器件具有OTS／SiO2双绝缘层结构，可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度。修饰后器件的场效应迁移率提高了1．5倍、漏电流从10^-9A降到10^-10A、阈值电压降
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