金属／Hg1-xMnxTe接触的I-V特性研究

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ctbt010

【摘要】

：

分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au／Hg1-MnxTe和A1／Hg1-xMnxTe接触，并用Aligent4155cI-V，测试仪对其I-V特性进行了测量，随后对试样在10％NH4F：10％H2O2：H2O中进行了

【作者】

：

王泽温介万奇

【机构】

：

西北工业大学材料学院

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

Al/Hg1-xMnxTe Au/Hg1-x MnxTe 欧姆接触肖特基接触 Al/Hg1-xMnx Te Au/Hg1-xMnxTe Ohmic conta

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分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au／Hg1-MnxTe和A1／Hg1-xMnxTe接触，并用Aligent4155cI-V，测试仪对其I-V特性进行了测量，随后对试样在10％NH4F：10％H2O2：H2O中进行了钝化处理，并对处理后的试样再次进行了I-V，测量，对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析。结果表明：Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触，而AI与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触，其肖特基势垒的理论推算值为0．38eV。钝化处理后的

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