论文部分内容阅读
分别采用钨酸锆靶(ZrW2O8)和氧化锆(ZrO2)与氧化钨(WO3)的复合靶,在磁控溅射条件下制备钨酸锆(ZrW2O8)薄膜,研究了靶材制备工艺、复合靶成分配比以及热处理温度对薄膜成分的影响,并对薄膜生长方式进行了初步探讨.结果表明:ZrW2O8靶材制备的薄膜在700℃处理后薄膜中ZrW2O8纯度较高,相同配比下,复合靶制备的薄膜经750℃处理后薄膜中ZrW2O8含量最高;以凡(ZrO2):n(WO3)为1:2.8的复合靶材制备的薄膜经热处理后,结晶度优于凡(ZrO2):n(WO3)为1:2获得的薄膜,