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用中频反应磁控溅射技术制备了Ak2O3：Ce^3＋的非晶薄膜。XPS监测显示，薄膜中有Ce^3＋生成。这些薄膜的光致发光峰是在374nm附近，它来自于Ce^3＋离子的5d^1激发态向基态4f^1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度，但发光峰位置不随掺杂浓度而变化。Ce^3＋含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱（EDS）测量的。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3：Ce^3＋非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在