【摘 要】
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基于SMIC 28nm工艺实现了一种用于Flash的低功耗高精度的带隙基准电路,在传统电压模结构上采用共源共栅结构提高了各支路偏置电流的精度和PSRR,设计过程中仿真了器件所有corn
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,中国科学院大学
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基于SMIC 28nm工艺实现了一种用于Flash的低功耗高精度的带隙基准电路,在传统电压模结构上采用共源共栅结构提高了各支路偏置电流的精度和PSRR,设计过程中仿真了器件所有corner,温度范围-40~125℃和电源电压±10%的情况.300次Monte Carlo仿真输出电压平均值为1.196 42V,方差为5.011mV,温度系数为7×10-6/℃,总电流仅为264nA,电源电压为1.8V时,最恶劣corner总电流为343nA,低频1kHz电源抑制比为-78dB.该电路中设计
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