论文部分内容阅读
采用分子束外延技术，在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时，利用反射式高能电子衍射仪（RHEED）对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用，可以估算衬底温度，并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1．96s，每秒沉积0．51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。