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局域自由载流子浓度和微区吸收系数的激光(10.6μm)测量,在集成电路投入生产之前是非常有意义的.当αl<1,(其中l是基片的厚度)出现反常振荡,妨碍正常的测量.我们能够证明,这种反常的峰谷不是由于背景噪声以及吸收的不均匀性所致.是由于基片表面的不平整和干涉所致.细致地求解无穷(传播矩阵)级数,将理论结果与实验曲线比较表明,我们的物理模型和理论是一致的.