fMAX为425GHz转移衬底InP/InGaAa/InP双异质结双极晶体管

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美国UniversityofCalifornia采用转移衬底技术已研制成fMAX为 4 2 5GHz ,fT 为 14 1GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管 (DHBT) ,这是目前所报道DHBT最高的fMAX 器件的发射极接触面积为 0 5 μm× 8μm。在Jc =5× 10 4 A/cm2 下 ,击穿电压BVCEO为 8V ,且使电流增益 β为 4 3。MBE生长InP/InGaAs/InPDHBT的层结构如表所示。表 MBE生长InP/InGaAs/InP
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