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以Ti、Si、C粉为原料,采用热压烧结法,在烧结温度1000～1600℃合成了Ti3SiC2材料.采用XRD分析了热压产物的相组成,用SEM和EDS观察试样的显微结构,并讨论了Ti3SiC2陶瓷的合成机理.
热压过程中Ti3SiC2陶瓷的合成机理研究
【摘 要】
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以Ti、Si、C粉为原料,采用热压烧结法,在烧结温度1000～1600℃合成了Ti3SiC2材料.采用XRD分析了热压产物的相组成,用SEM和EDS观察试样的显微结构,并讨论了Ti3SiC2陶瓷的合成机
【机 构】
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西安建筑科技大学材料科学与工程学院,陕西西安,710055
【出 处】
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热加工工艺
【发表日期】
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2012年2期
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