【摘 要】
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基于180nm标准CMOS工艺,设计了一种能够有效提高光子探测效率的双电荷层结构的单光子雪崩二极管.该器件结构采用P电荷层和逆行掺杂的深N阱形成PN结,选取不同的P电荷层掺杂浓
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院,天津大学微电子学院
【基金项目】
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浙江省自然科学基金(No.LY17F010022);国家自然科学基金(No.61372156);国家留学基金委(No.201508330049)~~
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基于180nm标准CMOS工艺,设计了一种能够有效提高光子探测效率的双电荷层结构的单光子雪崩二极管.该器件结构采用P电荷层和逆行掺杂的深N阱形成PN结,选取不同的P电荷层掺杂浓度,对击穿电压进行优化,当P电荷层浓度为1×10^18cm^-3时,击穿电压为17.8V,电场强度为5.26×10^5V/cm.进一步研究发现N电荷层的位置会影响漂移电流密度和扩散电流密度.当在深N阱与N隔离层交界处掺杂形成N电荷层,即N电荷层掺杂峰值距离器件表面为2.5μm时,器件性能最优.通过SilvacoT
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