【摘 要】
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报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中不均匀分布的影响,通过解析求解泊松方程以及
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报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中不均匀分布的影响,通过解析求解泊松方程以及牛顿-拉夫森迭代计算表面势,得到了表面电场以及表面势的分布,并以此为基础采用薄层电荷近似,计入栅压引起的载流子迁移率退化效应,导出了可用于所有器件工作区的统一漏电流解析表达式.当漏偏压为10 V,栅压为12 V时,模拟得到的饱和漏电流接近40 mA.计算结果与实验值符合较好.
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