薄层电荷近似相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

薄层电荷近似相关论文

基于表面势的N沟4H-SiC MOSFET，I-V特性解析模型

报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中......

期刊

4H碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管解析模型表面势薄层电荷近似 H-SiC MOSFET a nalyti cal model surfac

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