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报道了多晶硅栅６Ｈ－ＳｉＣ ＭＯＳ场效应器件的制造工艺和器件性能。６Ｈ－ＳｉＣ氧化层的ＭＩＭＳ分析说明在氧化过程中，多余的Ｃ以ＣＯ的形式释放，铝元素逸出极少，氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大，ＳｉＣ的氧人张掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性，最大跨导为０．３６ｍＳ／ｍｍ，沟道电子迁移率约为１４ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，但串联电阻效应明显。