报道了多晶硅栅６Ｈ－ＳｉＣ ＭＯＳ场效应器件的制造工艺和器件性能。６Ｈ－ＳｉＣ氧化层的ＭＩＭＳ分析说明在氧化过程中，多余的Ｃ以ＣＯ的形式释放，铝元素逸出极少，氧化层中因有......