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分别用ＸＰＳ和ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况，研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处各自相同的化学状态中，Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在，其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ，氧缺位状态主要分布在薄膜表层，各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集。