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采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应