【摘 要】
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用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3/(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。SrRuO3底电极层厚约117nm,BNdT薄膜厚～35nm。X射线衍射(XRD)和透射电镜(T
【机 构】
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湖北大学材料科学与工程学院,青岛大学国家重点实验室培育基地,
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用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3/(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。SrRuO3底电极层厚约117nm,BNdT薄膜厚～35nm。X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)观察证实了SrRuO3层和BNdT薄膜的外延生长。通过TEM平面样品观察,在SrRuO3/BNdT界面附近看到了两种衬度处于不同高度的失配位错网,位错线沿<110>走向,其柏格斯矢量沿[110]或[110]方向有分量,在[001]方向上可能没有分量。讨论了位错的形成机制。
The c-axis oriented Bi3.15Nd0.85Ti3O12 (BNdT) ferroelectric thin films were epitaxially grown on (001) SrRuO3 / (001) SrTiO3 by pulsed laser deposition. SrRuO3 bottom electrode layer thickness of about 117nm, BNdT film thickness ~ 35nm. X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) observations confirmed the epitaxial growth of SrRuO3 and BNdT films. Through the observation of the TEM plane sample, two kinds of mismatched dislocation networks with different contrasts are observed near the interface of SrRuO3 / BNdT. The dislocation lines along the <110> direction have their Burgers vectors along [110] or [110] The direction has a component and there may be no component in the [001] direction. Discussed the formation of dislocation mechanism.
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