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针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法.
应用晶片键合技术制作激光器
【摘 要】
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针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了
【机 构】
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河北工业大学研究生学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年11期
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