激光器材料相关论文
本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器....
为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×10～5×10cm的P离子注入到InGaAs/InGaAs分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器......
本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激......
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm......
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称“中科院苏州纳米所”）与多家企业合作，成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料......
我们对ＳｉＯ２覆盖退火增强ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究。相对于原始样品，退火时无ＳｉＯ２覆盖的样品经８００℃，３０ｓ快速退火后，其光致发光谱的峰......
用ＭＯＣＶＤ生长发射波长为８０８ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒（ＭＱＢ）层，有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱......
