OLEDs中CuPc缓冲层作用的AFM与XPS研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cz1502008

【摘要】

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利用AFM对CuPc／ITO样品表面进行扫描，发现其生长较均匀，基本上覆盖了ITO表面的缺陷，且针孔较少。通过样品表面和界面的XPS谱图分析，进一步证实了这一结果，同时发现，CuPc可以抑制ITO

【作者】

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【机构】

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兰州大学物理系,北京机械工业学院基础部

【出处】

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功能材料与器件学报

【发表日期】

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2006年2期

【关键词】

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利用AFM对CuPc／ITO样品表面进行扫描，发现其生长较均匀，基本上覆盖了ITO表面的缺陷，且针孔较少。通过样品表面和界面的XPS谱图分析，进一步证实了这一结果，同时发现，CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散。有利于器件的性能的改善和寿命的提高。

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