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针对采用激光诱导荧光（LIF）技术，对真空或不同气压的He、Ar环境下激光烧蚀产生的Si粒子的时间飞行（TOF）进行了测量，并对试验结果进行了数据分析。结果表明，在真空环境下烧蚀形成的Si粒子的速度近似服从麦克斯韦分布律；在气体环境下，其速度偏离麦克斯韦分布律，并且环境气压越大，偏离越明显；Ar环境比相同气压的He下偏离更明显。烧蚀产生的Si粒子在不同种类、不同压强的环境气氛中所受阻力有所不同，其大小与Si粒子速度有关，从而不同速度的Si粒子受到不同大小的阻力，导致速度偏离麦克斯韦分布律。