【摘 要】
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建立了可研究强超短光脉冲放大特性且包含自由载流子吸收、受激辐射、双光子吸收、光谱烧孔和超快非线性折射效应的半导体光放大器理论模型,用以建立脉冲四波混频模型,并进一
【机 构】
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北京理工大学信息科学技术学院光电工程系,北京理工大学信息科学技术学院光电工程系,北京理工大学信息科学技术学院光电工程系 北京100081,北京100081,北京100081
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建立了可研究强超短光脉冲放大特性且包含自由载流子吸收、受激辐射、双光子吸收、光谱烧孔和超快非线性折射效应的半导体光放大器理论模型,用以建立脉冲四波混频模型,并进一步仿真了基于半导体光放大器的光采样过程,重点讨论了自由载流子吸收、双光子吸收效应对采样特性的影响。仿真结果与实验结果相符。
A theoretical model of a semiconductor optical amplifier that can study strong ultrashort optical pulse amplification characteristics and contains free carrier absorption, stimulated emission, two-photon absorption, spectral hole burning and ultra-fast nonlinear refraction has been established to establish a four-pulse Mixing model, and further simulates the optical sampling process based on semiconductor optical amplifier, focusing on the effects of free carrier absorption and two-photon absorption on sampling characteristics. The simulation results are consistent with the experimental results.
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