【摘 要】
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Ge-Te系化合物因其具有非常高的电阻比、快响应速度和较高的相变温度而在高性能微波开关方面有重要的应用潜力。本文研究了在室温下磁控溅射法制备的GeTe薄膜电性能随温度的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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电子科技大学核心电子材料与器件协同创新中心(ICEM2015-4002).
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Ge-Te系化合物因其具有非常高的电阻比、快响应速度和较高的相变温度而在高性能微波开关方面有重要的应用潜力。本文研究了在室温下磁控溅射法制备的GeTe薄膜电性能随温度的变化规律。研究表明,当薄膜温度从室温升高到170℃,薄膜保持非晶态,电阻率从24Ω·m逐渐下降到0.72Ω·m,空穴的迁移率保持在10-1m2/(V·s)左右,交流阻抗谱表明GeTe更多的表现为电容特性并且能稳定的保持在高阻态。当温度升高到210℃后,薄膜晶化,载流子浓度和迁移率迅速增加,GeTe显示出电阻特性
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