【摘 要】
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采用限制c向生长TAP大籽晶的载晶系统,用c向切片的圆滑TAP籽晶,在较大溶液过饱和度下进行籽晶培养。应用这种方法使该晶体的a、b向的生长速度比一般自由生长方法大约提高5倍。
The growth
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采用限制c向生长TAP大籽晶的载晶系统,用c向切片的圆滑TAP籽晶,在较大溶液过饱和度下进行籽晶培养。应用这种方法使该晶体的a、b向的生长速度比一般自由生长方法大约提高5倍。
The growth of the TAP large seed crystal growth was carried out with a confinement c, and the C-wise sliced smooth TAP seed was used to seed the seed in a large solution supersaturation. Using this method, the growth rate of a, b direction of the crystal is about 5 times higher than that of the general free growth method.
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