生长界面相关论文
太赫兹（Terahertz， THz）技术在工业无损检测、科学研究和军事领域发挥着越来越重要的作用。作为太赫兹产生和探测最常用的电光晶体材......
ZnSe晶体是最重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物半导体光电材料之一,在中远红外激光、高能辐射探测、蓝光LED、光通讯等领域有广阔的应用潜......
对淡腌黄鱼产品在不同温度条件下进行贮藏性实验,研究贮藏期间产品的微生物生长情况及产品的品质变化,根据实验数据用运Gompertz动......
晶体生长与母相和生长界面的性质密切相关，对它们的研究是认识晶体生长本质的重要途径之一。本报告以非线性光学晶体LiB3O5的高温助......
溶液晶体生长与溶液的过饱和度及浓度变化有关。用全息实时干涉法测定KDP晶体的浓度扩散层和晶面浓度,以观察浓度变化,这对培育优......
用定向结晶法考察了含镧分别为0、0.1、0.5wt％的铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应。结果表明,温度梯度的提高使片状共晶相间距λ......
本文以ＨｇＴｅ－ＣｄＴｅ伪二元相图为基础，分析了Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶生长过程中分凝特性及扩散规律。从维持平面生长界面的角度出发，确定了不同温度梯度下生长速度选......
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的......
高铬铸铁中的碳化物是抗磨骨架,碳化物的形貌、分布、数量将影响材料的力学性能。本文在总结国内外对高铬铸铁碳化物晶体结构及生......
以MnTe—CdTe伪二元相图为基础,分析了单晶生长过程中的分凝特性及扩散规律,从成分过冷的角度讨论了生长界面的稳定性,最后就生长......
利用改进后的定向凝固装置，研究了在阶跃增速和线性增、减速的变速生长条件下，Ｐｂ－Ｓｎ共晶合金定向凝固共晶组织的变化。实验结果表明：当共晶......
富钴结壳是广泛分布在海底正地形上的一种铁锰氧化物,由于富钴结壳富含Co等战略金属元素,使其成为潜在的待开发海底资源。它包括结......
HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的......
本文研究了重掺锑硅单晶管道的性质和克服管道问题的方法。改用[100]晶向,可靠地消除了管道。制管试验表明,[100]晶向单晶可部分地......
本文概述了重掺锑硅单晶析出的规律现象,提出了析出的模型。根据这个模型,可以全面地解释观察到的规律性现象,并预计了未曾生长过......
在青铜法生产的多芯Nb_3Sn带中,发现Nb_3Sn层中有许多由大Nb_3Sn晶粒组成的网状结构。网上的Nb_3Sn晶粒比周围一般晶粒大4～10倍,含......
从结晶化学角度出发 ,研究了KDP晶体的生长基元和形成机理 .研究了固 液界面边界层在不同面族上厚度的变化 ,并采用Raman光谱对生......
本文从ＢＦＤＨ法则、ＰＢＣ理论和分子间作用力出发，探讨了极性有机晶体的理论习性及其预测，并和实际晶形进行了比较，一方面加深了对极性有机晶体生......
本文通过对GdCOB晶体进行了光学显微观察 ;结合电子探针微区分析手段 ,讨论了Bridgman法生长所得GdCOB晶体中几类不同性质的包裹物......
针对铝合金直接氮化生长ＡＩＮ过程中的晶体生长过程进行分析，通过Ｘ－ｒａｙ衍射和ＳＥＭ观察，获得了不同生长阶段ＡＩＮ晶体的生长特征，研究了铝合金直接氨化生长......
长期以来 ,晶体生长机理的研究大多是间接的理论分析。原子力显微镜具有原子、分子级分辨率且能在溶液等环境下工作 ,为我们提供了......
硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高......
利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(Si C)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响。分析了感......
研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器......
研究了外加直流电场对镍基单晶高温合金生长取向偏离的影响。在直流电场作用下，不同初始取向偏离的样品其取向偏离角得到程度不......
晶体材料国家重点实验室依托于山东大学,是1 984年我国首批建设的国家重点实验室之一,1 987年1 1月通过国家验收后正式对外开放运......
用液淬技术，对初生石墨和共晶石墨的生长模式进行了对比研究。揭示出蠕墨弯曲频繁主要是石墨和奥氏作相互作用的结果，并非变质元素所......
本文用碳酸稀土直接变质共晶铝硅合金,取得了满意的效果。通过对不同变质剂加入量下共晶硅形貌的观察及特定部位的微区成份分析,探......
采用限制ｃ向生长ＴＡＰ大籽晶的载晶系统，用ｃ向切片的圆滑ＴＡＰ籽晶，在较大溶液过饱和度下进行籽晶培养。应用这种方法使该晶体的ａ、ｂ向的生长速度比......
用泡生法从熔体中生长了块状非线性光学有机晶体４－胺基二苯甲酮（ＡＢＰ）。讨论了生长条件，计算了４－胺基二苯甲酮（ＡＢＰ）材料的融熔熵为６．７５。实验证明该晶体......
ＡＣＲＴ是一种新型的晶体生长技术，已成功地制备了一些优良的功能材料作者利用自制的测温装置，测量了ＡＣＲＴ过程中的温度变化结果表明：ＡＣＲＴ过程中液相保......
提出采用移动加热器(THM)法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过......
本文介绍了实时观察方法研究ＣｄＩ＿２晶体的水溶液生长的实验系统和实验结果。通过对ＣｄＩ＿２晶体的螺位错生长过程中，台阶运动过程及台阶稳定性的实......
本文从结晶化学角度研究了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７晶体结构，根据晶体的结构基元为［Ｂ４Ｏ９］６－络阴离子，并用计算机绘出了该络阴离子在｛００１｝，｛１００｝，｛１１０｝面上的投影，由［Ｂ４Ｏ９］６－络阴离子的结晶方位和......
用全息相衬干涉显微术研究了高温溶液生长KTP晶体和低温溶液生长KDP晶体的溶质边界层。实验表明,无论是在高温溶液还是在低温溶液......
根据减小晶体生长溶质边界层厚度（δ＿ｃ）和加快生长界面“反应”速率的原理，研究了溶液的搅拌速度、溶液的ｐＨ值和生长温度等对磷酸二氢铵（ＡＤＰ）晶......
本文介绍了用实时观察方法研究水溶液中晶体生长长机制的实验。通过对水溶液中ＣｄＩ＿２晶体的生长台阶运动的实时观察研究，首次提出了在过饱......
本文阐述了提拉法生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）晶体中出现的各种宏观缺陷，分析了产生缺陷的原因，并给出了消除缺陷的方法。......
修正Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ关于在垂直生长方向截面上溶质扩散各向同性假设，求解三维Ｌａｐｌａｃｅ方程，获得纤维共晶生长界面前沿三维稳态扩散场，并证明Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ的二维模型是......
ＢａＴｉＯ３晶体的生长基元与畴结构罗豪齐振一华素坤仲维卓（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＧｒｏｗｔｈＵｎｉｔｓａｎｄＤｏｍａｉｎＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＢａＴｉＯ３ＣｒｙｓｔａｌｓＬｕｏＨａｏｓｕＱｉＺｈｅｎｙｉＨｕａＳｕｋｕｎＺｈｏ.........
