香港厂商做出3V的SRAM

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香港一家半导体设计公司 Sintek设计了工作电压为3.3V 和2.7V 的SRAM。这种芯片用0.8微米的 CMOS工艺制成。该公司说,所设计的专利电路对电压相对来说不太敏感,因而可避免因电压较低而引起速度下降;此电路可应用于任何类型的存储器或逻辑芯片。该公司说,大多数其它的设计方法都是把晶体管沟道宽度减小到0.6微米并采用150埃厚的氧化层。 Sintek, a Hong Kong-based semiconductor design company, designed SRAMs that operate at 3.3V and 2.7V. This chip is made with a 0.8 micron CMOS process. The company said the patented circuit was designed to be relatively insensitive to voltage and thus avoid speed reductions due to low voltages; this circuit can be applied to any type of memory or logic chip. The company said most other designs are to reduce the transistor channel width to 0.6 microns and use a 150-angstrom thick oxide.
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