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从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声，选用了单晶硅，非晶硅，多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料，设计了16种不同尺寸的力敏Wheastone电桥，并对器件分别进行了两各不同的浓度的掺杂和两种不同条件的退火，共获得256种压阻输出的微传感器，测量所有的器件的噪声，并对噪声谱进行理论分析，实验结果表明单硅具有最低的l/f噪声和Hooge因子(a)的值，而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅，向何尺寸大撂敏电阻具有低的l/f噪声，但a值不受器件尺寸的影响，掺杂浓度增加10倍时，不同器件的l/f噪声降低介于35