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Al组分对MOCVD制备的Al_xGa_1-xN/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：goubo

【摘 要】

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采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒

【作 者】

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陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 朱建军 张 

【机 构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室

【出 处】

：

发光学报

【发表日期】

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2013年12期

【关键词】

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AL组分 ALGAN 高电子迁移率晶体管 电学性质 MOCVD Al compositionAlGaNHEMTelectrical propertiesMOCV 

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61204011,61107026,61176126,61006084),国家杰出青年科学基金(60925017),北京市自然科学基金(4102003,4112006),北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目

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采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最

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